型号:

BSS159N L6906

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Infineon Technologies描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细参数
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产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
BSS159N L6906 PDF
标准包装 1
系列 SIPMOS®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 耗尽模式
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 230mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 3.5 欧姆 @ 160mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2.4V @ 26µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 2.9nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 44pF @ 25V
功率 - 最大 360mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 PG-SOT23-3
包装 标准包装
其它名称 BSS159N L6906DKR
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BSS159N L6906 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
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